Сульфідна активація p-n переходів на основі gaas як газових сенсорів

Abstract

Досліджено вплив сульфідної обробки поверхні p-n переходів на основі GaAs на вольт-амперні характеристики прямого та зворотного струмів, а також на характеристики p-n переходів як газових сенсорів. Показано, що сульфідна обробка зменшує прямий та зворотний струми в p-n переходах. Після сульфідної обробки суттєво підвищується газова чутливість p-n переходів. Дане явище можна пояснити зменшенням щільності поверхневих центрів рекомбінації. в результаті нанесення на поверхню атомів сірки. При такій обробці також зменшується концентрація електрично активних центрів у поверхневому збідненому шарі.