Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/7912
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБогдан, О.В.-
dc.date.accessioned2019-08-13T09:19:48Z-
dc.date.available2019-08-13T09:19:48Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.urihttp://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/7912-
dc.description.abstractВивчення поверхневих явищ необхідний і важливий напрямок фізики твердого тіла. Це пояснюється кількома причинами. По-перше, стан поверхні напівпровідника має вирішальний вплив на технічні характеристики напівпровідникових приладів. Обробка поверхні напівпровідника є дуже важливою технологічною операцією в процесі виготовлення напівпровідникових приладів і схем. У зв'язку з розвитком мікро- та наноелектроніки відбувається зменшення розмірів елементів і збільшується відношення поверхні до об'єму. По-друге, поверхня впливає на експлуатаційні характеристики об'ємних приладів. Будь-яка зміна починається з поверхні і пов'язане з процесами адсорбції-десорбції, дифузії. Тому в технології застосовуються спеціальні методи поверхневих обробок.uk_UA
dc.language.isootheruk_UA
dc.subjectдослідженняuk_UA
dc.subjectмодифікація поверхніuk_UA
dc.subjectнапівпровідникuk_UA
dc.titleМодифікація поверхні напівпровідників АIII BVuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Располагается в коллекциях:Тези доповідей 75-ї науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу академії

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Модифікація поверхні напівпровідників....pdfОсновна стаття986,89 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.