Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/8585
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБогдан, О.В.-
dc.date.accessioned2020-08-04T07:38:50Z-
dc.date.available2020-08-04T07:38:50Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationс.73uk_UA
dc.identifier.urihttp://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/8585-
dc.description.abstractМорфологія поверхні проводилися за допомогою атомно-силового мікроскопу NT-206 [1]. Зменшення швидкості сульфідної модифікації не впливає на загальну кількість хімічних зв’язків сірки з поверхневими атомами напівпровідника [2]. Досліджувались ділянки поверхні монокристалічних пластин n-GaAs (100) до та після модифікації поверхні сіркою тривалістю 80 с, і виявилося, що після обробки на поверхні спостерігається утворення неоднорідностей.uk_UA
dc.publisherТези дововідей 76-ї науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу академіїuk_UA
dc.subjectморфологіяuk_UA
dc.subjectдослідженняuk_UA
dc.titleДослідження морфології поверхні Арсеніду Галіюuk_UA
dc.typeThesisuk_UA
Располагается в коллекциях:Тези доповідей 76-ї науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу академії

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Дослідження морфології поверхні Арсеніду Галію.pdf249,71 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.