DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/8585Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Богдан, О.В. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-08-04T07:38:50Z | - |
| dc.date.available | 2020-08-04T07:38:50Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | с.73 | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/8585 | - |
| dc.description.abstract | Морфологія поверхні проводилися за допомогою атомно-силового мікроскопу NT-206 [1]. Зменшення швидкості сульфідної модифікації не впливає на загальну кількість хімічних зв’язків сірки з поверхневими атомами напівпровідника [2]. Досліджувались ділянки поверхні монокристалічних пластин n-GaAs (100) до та після модифікації поверхні сіркою тривалістю 80 с, і виявилося, що після обробки на поверхні спостерігається утворення неоднорідностей. | uk_UA |
| dc.publisher | Тези дововідей 76-ї науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу академії | uk_UA |
| dc.subject | морфологія | uk_UA |
| dc.subject | дослідження | uk_UA |
| dc.title | Дослідження морфології поверхні Арсеніду Галію | uk_UA |
| dc.type | Thesis | uk_UA |
| Розташовується у зібраннях: | Тези доповідей 76-ї науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу академії | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Дослідження морфології поверхні Арсеніду Галію.pdf | 249,71 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.