Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/3972
Название: Сульфідна активація p-n переходів на основі gaas як газових сенсорів
Авторы: Богдан, О.В.
Птащенко, О.
Птащенко, Ф.
Маслєєва, Н.
Ключевые слова: p-n перехід
GaAs
сульфідна обробка
сенсор
чутливість
Дата публикации: 2010
Издательство: Вісник Львів. УН – ТУ. Серія фізика
Серия/номер: Вип.45;с.177-181
Краткий осмотр (реферат): Досліджено вплив сульфідної обробки поверхні p-n переходів на основі GaAs на вольт-амперні характеристики прямого та зворотного струмів, а також на характеристики p-n переходів як газових сенсорів. Показано, що сульфідна обробка зменшує прямий та зворотний струми в p-n переходах. Після сульфідної обробки суттєво підвищується газова чутливість p-n переходів. Дане явище можна пояснити зменшенням щільності поверхневих центрів рекомбінації. в результаті нанесення на поверхню атомів сірки. При такій обробці також зменшується концентрація електрично активних центрів у поверхневому збідненому шарі.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/3972
Располагается в коллекциях:Стаття в журналі

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Сульфідна активація p-n переходів на основі....pdfОсновна стаття219,34 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.