DSpace JSPUI
DSpace сохраняет и позволяет легкий и открытый доступ ко всем видам цифрового контента, включая текст, изображения, анимированные изображения, MPEG и наборы данных
Узнать больше
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/8585| Название: | Дослідження морфології поверхні Арсеніду Галію |
| Авторы: | Богдан, О.В. |
| Ключевые слова: | морфологія дослідження |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издательство: | Тези дововідей 76-ї науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу академії |
| Библиографическое описание: | с.73 |
| Краткий осмотр (реферат): | Морфологія поверхні проводилися за допомогою атомно-силового мікроскопу NT-206 [1]. Зменшення швидкості сульфідної модифікації не впливає на загальну кількість хімічних зв’язків сірки з поверхневими атомами напівпровідника [2]. Досліджувались ділянки поверхні монокристалічних пластин n-GaAs (100) до та після модифікації поверхні сіркою тривалістю 80 с, і виявилося, що після обробки на поверхні спостерігається утворення неоднорідностей. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/8585 |
| Располагается в коллекциях: | Тези доповідей 76-ї науково-технічної конференції професорсько-викладацького складу академії |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Дослідження морфології поверхні Арсеніду Галію.pdf | 249,71 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.