Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/3970
Название: Effect of sulphur atoms on surface current in gaas P-n junctions
Авторы: Ptashchenko, O.O.
Ptashchenko, F.O.
Masleyeva, N.V.
Bogdan, O.V.
Shugarova, V.V.
Ключевые слова: passivation
p-n structures
gas sensors
Дата публикации: 17-ноя-2008
Издательство: Photoelectronics Inter-universities scientific articles, Odessa “Astroprint”
Серия/номер: №17;р.34-38
Краткий осмотр (реферат): Sulphur atoms passivation of GaAs surface and its influence on I-V characteristics of forward and reverse currents, photocurrent spectrum, and sensitivity of GaAs p-n structures as gas sensors were studied. The passivation reduces the excess forward current and reverse current in p-n junctions, enhances the photosensitivity in the spectral region of strong absorption, substantially increases the sensitivity to ammonia vapors. All these effects are explained, taking into account lowering of the surface states density as a result of sulphur atoms deposition.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://mx.ogasa.org.ua/handle/123456789/3970
Располагается в коллекциях:Стаття в журналі

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Effect of sulphur atoms on surface current in gaas...pdfArticle300,98 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.